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in Transistori Igbt - bm120 pad rivestito in fibra di vetro pad per refrigeratore igbt mos transistor silicone
Durezza riva A: 75 + / - 5 Tensione di rottura dielettrica: 4.5 kV Conducibilità termica: 1.0 W/m. k. Ciò consente di ridurre la termica tra il componente elettronico e il radiatore. Inoltre … (continua)
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