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mz-v9s4t0 m.2 4.0 nvme v-nand tlc 4 TB pci-express
Descrizione del prodotto: "Samsung MZ-V9S4T0, 4 TB, M. 2, 7150 MB/s Samsung MZ-V9S4T0. Capacità SSD: 4 TB, Dimensione SSD: M. 2, Velocità di lettura: 7150 MB/s, Velocità di scrittura: 6300 MB/s, Componente per: PC Velocità spettacolare ogni giorno Completa tutte le attività in un attimo. Grazie alla memoria NAND di ultima generazione, 990 EVO Plus assicura una velocità di lettura/scrittura sequenziale semplicemente imbattibile, fino a 7.250/6.300MB/s. Trasferisci istantaneamente anche i file più pesanti. Energia per tutta la giornata Efficienza ottimizzata per una maggiore durata. Il controller rivestito in nichel aumenta del 73% i MB/s per watt a disposizione, assicurando lo stesso livello di potenza e controllo termico con un consumo energetico inferiore. Da oggi non avrai più problemi di surriscaldamento o di carica della batteria mentre lavori o mentre giochi. Più spazio. Massima velocità. Ottieni la massima potenza con la tecnologia di ultima generazione Intelligent TurboWrite 2.0. Elaborazione più rapida di grandi volumi di dati e massima fluidità dei contenuti grafici più elaborati grazie all'area TurboWrite più ampia, disponibile con una capacità di 4 TB. Software Samsung Magician Lascia che il tuo SSD funzioni come per magia. Gli strumenti di ottimizzazione del software Samsung Magician assicurano la massima efficienza dellunità SSD. É un modo sicuro e semplice per migrare tutti i dati per un aggiornamento dell'unità SSD Samsung. Proteggi dati importanti, tieni monitorato lo stato del drive e ottieni gli ultimi aggiornamenti firmware. Diamo vita alle idee Da decenni, la memoria flash NAND di Samsung è alla base di tecnologie e innovazioni che hanno rivoluzionato la nostra vita quotidiana in tutti i suoi aspetti. La tecnologia flash NAND è integrata anche nei nostri drive SSD, per aprire la strada alla prossima rivoluzione nellera dellinnovazione. Performance Velocità di lettura sequenziale fino a 7.250 MB/s, superiore del 45% rispetto al modello precedente. Efficienza energetica Efficienza energetica migliorata del 73% per un maggior numero di MB/s per watt, assicurando ottime prestazioni e un controllo termico efficace. Versatilità Fino a 4 TB di capacità estesa e tutta la rapidità della tecnologia Intelligent TurboWrite 2.0 con un'area TurboWrite più ampia. Velocità spettacolare ogni giorno Completa tutte le attività in un attimo. Grazie alla memoria NAND di ultima generazione, 990 EVO Plus assicura una velocità di lettura/scrittura sequenziale semplicemente imbattibile, fino a 7.250/6.300MB/s. Trasferisci istantaneamente anche i file più pesanti. Energia per tutta la giornata Efficienza ottimizzata per una maggiore durata. Il controller rivestito in nichel aumenta del 73% i MB/s per watt a disposizione, assicurando lo stesso livello di potenza e controllo termico con un consumo energetico inferiore. Da oggi non avrai più problemi di surriscaldamento o di carica della batteria mentre lavori o mentre giochi. Più spazio. Massima velocità. Ottieni la massima potenza con la tecnologia di ultima generazione Intelligent TurboWrite 2.0. Elaborazione più rapida di grandi volumi di dati e massima fluidità dei contenuti grafici più elaborati grazie all'area TurboWrite più ampia, disponibile con una capacità di 4 TB. Software Samsung Magician Lascia che il tuo SSD funzioni come per magia. Gli strumenti di ottimizzazione del software Samsung Magician assicurano la massima efficienza dellunità SSD. É un modo sicuro e semplice per migrare tutti i dati per un aggiornamento dell'unità SSD Samsung. Proteggi dati importanti, tieni monitorato lo stato del drive e ottieni gli ultimi aggiornamenti firmware. Diamo vita alle idee Da decenni, la memoria flash NAND di Samsung è alla base di tecnologie e innovazioni che hanno rivoluzionato la nostra vita quotidiana in tutti i suoi aspetti. La tecnologia flash NAND è integrata anche nei nostri drive SSD, per aprire la strada alla prossima rivoluzione nellera dellinnovazione. Performance Velocità di lettura sequenziale fino a 7.250 MB/s, superiore del 45% rispetto al modello precedente. Efficienza energetica Efficienza energetica migliorata del 73% per un maggior numero di MB/s per watt, assicurando ottime prestazioni e un controllo termico efficace. Versatilità Fino a 4 TB di capacità estesa e tutta la rapidità della tecnologia Intelligent TurboWrite 2.0 con un'area TurboWrite più ampia. Caratteristiche Capacità SSD 4 TB Dimensione SSD M. 2 Interfaccia PCI Express 4.0 NVMe Sì Tipo memoria V-NAND TLC Componente per PC criptaggio hardware Sì Versione di NVMe 2.0 Algoritmi di sicurezza supportati 256-bit AES Dimensioni dell'unità SSD M. 2 2280 22 x 80 mm Velocità di lettura 7150 MB/s Velocità di scrittura 6300 MB/s Lettura casuale 4KB 850000 IOPS Operazioni di input/output per secondo Scrittura casuale 4KB 1350000 IOPS Operazioni di input/output per secondo Supporto S. M.A. R.T. Sì Supporto TRIM Sì Tempo medio tra guasti MTBF 1500000 h Dimensioni e peso Larghezza 80.2 mm Profondità 2.38 mm Altezza 22.1 mm Peso 9 g Condizioni ambientali Intervallo temperatura di funzionamento 0 - 70 °C"
cod. prodotto: 9495-MZ-V9S4T0BW
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×Samsung MZ-V9S4T0, 4 TB, M.2, 7150 MB/s Samsung MZ-V9S4T0; Capacità SSD: 4 TB, Dimensione SSD: M.2, Velocità di lettura: 7150 MB/s, Velocità di scrittura: 6300 MB/s, Componente per: PC Velocità spettacolare ogni giorno Completa tutte le attività in un attimo; Grazie alla memoria NAND di ultima generazione, 990 EVO Plus assicura una velocità di lettura/scrittura sequenziale semplicemente imbattibile, fino a 7.250/6.300MB/s. Trasferisci istantaneamente anche i file più pesanti; Energia per tutta la giornata Efficienza ottimizzata per una maggiore durata;
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Versatilità Fino a 4 TB di capacità estesa e tutta la rapidità della tecnologia Intelligent TurboWrite 2.0 con un'area TurboWrite più ampia; Caratteristiche Capacità SSD 4 TB Dimensione SSD M.2 Interfaccia PCI Express 4.0 NVMe Sì Tipo memoria V-NAND TLC Componente per PC criptaggio hardware Sì Versione di NVMe 2.0 Algoritmi di sicurezza supportati 256-bit AES Dimensioni dell'unità SSD M.2 2280 22 x 80 mm Velocità di lettura 7150 MB/s Velocità di scrittura 6300 MB/s Lettura casuale 4KB 850000 IOPS Operazioni di input/output per secondo Scrittura casuale 4KB 1350000 IOPS Operazioni di input/output per secondo Supporto S.M.A.R.T. Sì Supporto TRIM Sì Tempo medio tra guasti MTBF 1500000 h Dimensioni e peso Larghezza 80.2 mm Profondità 2.38 mm Altezza 22.1 mm Peso 9 g Condizioni ambientali Intervallo temperatura di funzionamento 0; 70 °C.
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